兩家公司宣稱，3D Xpoint（讀法是crosspoint）是內存技術自1989年NAND閃存以來幾十年大的突破，產品結合了NAND閃存和DRAM之長，與傳統閃存技術相比，容量更大、速度更快、成本和能耗更低、壽命更長，而且已經可以投入生產，明年相關的方案產品就能上市。
比較直觀的成果是，采用新技術的拇指大小的盤能裝下3.5TB數據。
SeekingAlpha 6月份這篇文章很有料，其中透露這一技術花費數十億美元，有很多大公司參與其中。Hacker News上也有同學說Micron應該早在2011年就開始投入了。
技術方面的創新主要包括：
交叉陣列結構：存儲單元（每單元存儲1比特數據）密度高達1200億，性能更高
可堆疊：目前每晶粒可以存儲128Gb，未來可以通過增加層數來提高容量
選擇器：存儲單元可以通過向選擇器發送不同電壓來讀取，因此不再需要晶體管
單元的快速切換：單元尺寸更小、選擇器更快、陣列延遲低加上快速的寫入算法，單元的狀態切換也比傳統技術更快
另外，導線和存儲單元所用的材料是全新的。
Intel的宣傳資料暴露了野心：自馮諾依曼架構誕生以來，次有一種快速、不貴而且非易失的存儲技術，可以同時滿足內存和存儲的需要。這一點如果成真，將對現有系統尤其是數據庫產生很大影響，我們很可能真正迎來內存計算時代。
另一方面，Intel也承認，新技術的制造非常復雜，目前剛從Micron的實驗生產線轉到Intel工廠。不過他們已經習慣類似的挑戰。
國外媒體的報道：http://www.techmeme.com/150728/p31#a150728p31
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